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NTHD3100C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
6.3
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
N
P
V GS = 4.5 V, V DD = 10 V,
I D = 2.9 A, R G = 2.5 W
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 10 V,
I D = ? 3.2 A, R G = 2.5 W
10.7
9.6
1.5
5.8
11.7
16
12.4
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
N
P
N
V GS = 0 V, T J = 25 ° C
I S = 2.5 A
I S = ? 2.5 A
I S = 1.5 A
0.8
? 0.8
12.5
1.15
? 1.2
V
ns
P
I S = ? 1.5 A
13.5
Charge Time
t a
N
I S = 1.5 A
9.0
Discharge Time
t b
P
N
V GS = 0 V,
dI S / dt = 100 A/ m s
I S = ? 1.5 A
I S = 1.5 A
9.5
3.5
P
I S = ? 1.5 A
4.0
Reverse Recovery Charge
Q RR
N
I S = 1.5 A
6.0
nC
P
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
I S = ? 1.5 A
6.5
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